47

IRG4IBC20WPBF, БТИЗ транзистор, 11.8 А, 2.16 В, 34 Вт

Поставка электронных компонентов в Кемерово

210,00 руб.

x 210,00 = 210,00
Сроки поставки выбранного компонента в Кемерово уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней210,00руб.195,30руб.189,00руб.184,80руб.178,50руб.168,00руб.163,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней394,80руб.363,30руб.357,00руб.348,60руб.336,00руб.317,10руб.308,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней401,10руб.369,60руб.361,20руб.352,80руб.336,00руб.319,20руб.312,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней252,00руб.231,00руб.226,80руб.220,50руб.214,20руб.201,60руб.195,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней365,40руб.336,00руб.327,60руб.321,30руб.310,80руб.291,90руб.283,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней228,90руб.212,10руб.205,80руб.201,60руб.195,30руб.182,70руб.178,50руб.

Характеристики

IRG4IBC20WPBF, БТИЗ транзистор, 11.8 А, 2.16 В, 34 Вт The IRG4IBC20WPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor designed expressly for switch-mode power supply and PFC (power factor correction) applications. The latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability. It features lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode). Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >300kHz).

• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% Reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp

Рассеиваемая Мощность

34Вт

DC Ток Коллектора

11.8А