Личный кабинет
Nexperia добавила 12 новых устройств в свой постоянно расширяющийся портфель e-mode GaN FET. Этот последний релиз предназначен для удовлетворения растущего спроса на более эффективные и компактные системы. Новые низко- и высоковольтные e-mode GaN FET охватывают несколько рынков, включая потребительский, промышленный, серверный/вычислительный и телекоммуникационный, уделяя особое внимание поддержке высоковольтных, мало-среднемощных и низковольтных, мало-высокомощных вариантов использования. С момента появления e-mode GaN FET в 2023 году компания остается единственным поставщиком в отрасли, поставляющим каскодные или d-mode и e-mode устройства, обеспечивая разработчикам удобство при столкновении с различными трудностями в процессе проектирования.
Последние дополнения к портфелю e-mode GaN FET компании включают новые низковольтные 40-вольтовые двунаправленные устройства (RDSon<12 мОм) для поддержки OVP, переключения нагрузки и низковольтных приложений, включая BMS в мобильных устройствах и ноутбуках. В этом выпуске также представлены устройства 100 В и 150 В (RDSon<7 мОм), подходящие для источников питания SR в потребительских устройствах, преобразователей постоянного тока в постоянное напряжение в оборудовании передачи данных и телекоммуникаций, фотоэлектрических микроинверторов, аудиоусилителей класса D и систем управления двигателями в электровелосипедах, погрузчиках и легких электромобилях (LEV). Новый диапазон более высокого напряжения включает устройства 700 В (RDSon>140 мОм) для поддержки светодиодных драйверов и приложений PFC и устройства 650 В (RDSon>350 мОм), подходящие для использования в преобразователях переменного тока в постоянный ток.
Превосходные характеристики переключения технологии e-mode GaN FET компании обусловлены ее исключительно низкими значениями QG и QOSS. Эти новые устройства предлагают лидирующие в отрасли FOM, что делает их отличным выбором для высокоэффективных решений в области питания.
Загрузка